01 中(zhōng)安創芯半導體(tǐ)及電(diàn)子設備制造項目

        總用地面積407.49畝，總建築面積爲419936.65㎡，總投資(zī)171095.25萬元，建設内容包括有4棟高層科研樓（裙房商(shāng)業配套）、2棟宿舍樓（裙房商(shāng)業配套）、1棟獨立食堂+文體(tǐ)中(zhōng)心綜合樓、8種類型廠房（廠房A、B、C、D、E、F、G、H組團）、環保組團、2棟動力用房、以及配套地下(xià)車(chē)庫及人防工(gōng)程。項目建成後主要發展半導體(tǐ)電(diàn)子産業、引進半導體(tǐ)及電(diàn)子信息類項目。

        目前進展：一(yī)期：19棟廠房主體(tǐ)完成，二次結構完成、抹灰完成、外(wài)牆塗料完成90%、安裝工(gōng)程完成93%，6棟配套樓主體(tǐ)完成，二次結構完成99%、外(wài)牆保溫完成88%、外(wài)牆塗料完成85%，室外(wài)管網完成99%；二期：28棟廠房主體(tǐ)完成、二次結構完成、内抹灰完成、外(wài)牆塗料完成95%、安裝工(gōng)程完成70%；1棟配套樓主體(tǐ)結構完成、二次結構完成、内抹灰完成95%；室外(wài)管網完成95%、第一(yī)層水穩層完成60%。